考夫曼离子源创始人 Dr.Harold R.Kaufman
Kaufman 博士 1926年在美国出生, 1951年加入美国 NASA 路易斯研究中心, 60年代 考夫曼博士发明了电子轰击离子推进器并以他的名字命名(考夫曼推进器). 1969年美国航空航天学会 AIAA 授予他 James H. Wyld 推进奖, 1970年考夫曼推进器赢得了IR 100 (前身研发100奖), 1971年考夫曼博士获得美国宇航局杰出服务奖.
2016年, 美国 NASA 宇航局将 Harold Kaufman 博士列入格伦研究中心名人堂
1978 年 Kaufman & Robinson, Inc 公司成立
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国科罗拉多州的柯林斯堡创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 简称 KRI, 研发生产商用宽束离子源和电源控制器. 为世界各地的高科技企业,真空系统设备商和研究机构提供先进的解决方案. 上海伯东是美国考夫曼离子源中国总代理.
KRI 离子源主要产品
上海伯东美国 KRI 离子源是以真空为基础的加工工具, 在原子水平上与材料相互作用, 适用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 等, KRI 提供无栅极离子源和栅极离子源, 类型包含考夫曼离子源, 霍尔离子源, 射频离子源和电源控制器, 共计超过 25种规格, 全球累积销售 3500+ 台!
射频离子源 RFICP 系列技术规格:
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型号 |
RFICP 40 |
RFICP 100 |
RFICP 140 |
RFICP 220 |
RFICP 380 |
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Discharge 阳极 |
RF 射频 |
RF 射频 |
RF 射频 |
RF 射频 |
RF 射频 |
|
离子束流 |
>100 mA |
>350 mA |
>600 mA |
>800 mA |
>1500 mA |
|
离子动能 |
100-1200 V |
100-1200 V |
100-1200 V |
100-1200 V |
100-1200 V |
|
栅极直径 |
4 cm Φ |
10 cm Φ |
14 cm Φ |
20 cm Φ |
30 cm Φ |
|
离子束 |
聚焦, 平行, 散射 |
|
|||
|
流量 |
3-10 sccm |
5-30 sccm |
5-30 sccm |
10-40 sccm |
15-50 sccm |
|
通气 |
Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
||||
|
典型压力 |
< 0.5m Torr |
< 0.5m Torr |
< 0.5m Torr |
< 0.5m Torr |
< 0.5m Torr |
|
长度 |
12.7 cm |
23.5 cm |
24.6 cm |
30 cm |
39 cm |
|
直径 |
13.5 cm |
19.1 cm |
24.6 cm |
41 cm |
59 cm |
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中和器 |
LFN 2000 |
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考夫曼离子源 KDC 系列技术规格:
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型号 |
KDC 10 |
KDC 40 |
KDC 75 |
KDC 100 |
KDC 160 |
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Discharge 阳极 |
DC 电流 |
DC 电流 |
DC 电流 |
DC 电流 |
DC 电流 |
|
离子束流 |
>10 mA |
>100 mA |
>250 mA |
>400 mA |
>650 mA |
|
离子动能 |
100-1200 V |
100-1200 V |
100-1200 V |
100-1200 V |
100-1200 V |
|
栅极直径 |
1 cm Φ |
4 cm Φ |
7.5 cm Φ |
12 cm Φ |
16 cm Φ |
|
离子束 |
聚焦, 平行, 散射 |
|
|||
|
流量 |
1-5 sccm |
2-10 sccm |
2-15 sccm |
2-20 sccm |
2-30 sccm |
|
通气 |
Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
||||
|
典型压力 |
< 0.5m Torr |
< 0.5m Torr |
< 0.5m Torr |
< 0.5m Torr |
< 0.5m Torr |
|
长度 |
11.5 cm |
17.1 cm |
20.1 cm |
23.5 cm |
25.2 cm |
|
直径 |
4 cm |
9 cm |
14 cm |
19.4 cm |
23.2 cm |
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中和器 |
灯丝 |
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霍尔离子源 eH 系列技术规格:
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型号 |
eH 400 |
eH 1000 |
eH1000 xO2 |
eH 2000 |
eH 3000 |
|
Cathode/Neutralizer |
F or HC |
F or HC |
F or HC |
F or HC |
HC |
|
阳极电压 |
50-300V |
50-300V |
100-300V |
50-300V |
50-250V |
|
电流 |
5A |
10A |
10A |
10A |
20A |
|
散射角度 |
>45 |
>45 |
>45 |
>45 |
>45 |
|
气体流量 |
2-25sccm |
2-50sccm |
2-50sccm |
2-75sccm |
5-100sccm |
|
高度 |
3.0“ |
4.0“ |
4.0“ |
4.0“ |
6.0“ |
|
直径 |
3.7“ |
5.7“ |
5.7“ |
5.7“ |
9.7“ |
|
水冷 |
可选 |
可选 |
可选 |
是 |
可选 |
KRI 离子源主要应用
作为一种新兴的材料加工技术, 上海伯东美国 KRI 考夫曼离子源凭借出色的技术性能, 协助您获得理想的薄膜和材料表面性能. 美国 KRI 考夫曼离子源主要应用于真空环境下的离子束辅助沉积, 纳米级的干式蚀刻和表面改性.
离子清洗和辅助镀膜: 霍尔离子源加装于真空腔内, 对样品进行预清洗和辅助镀膜
离子清洗和溅射镀膜: 射频离子源加装于真空腔内, 对样品进行预清洗和溅射镀膜
在高倍显微镜下检视脱膜测试
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测试结果
--------- 使用其他品牌离子源--- --------------------- 使用美国考夫曼 KRI RFICP 325 离子源 ----------------------
从上图可以清楚看出, 使用其他品牌离子源, 样品存在崩边的问题; 使用上海伯东美国 KRI 离子源, 样品无崩边
多项专利
美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项专 利, 在此领域中, KRI 离子源是公认的, KRI 团队成员撰写了超过 100篇文章, 出版物, 书籍和技术论文,为推进宽波束设备和材料加工领域行业的知识体系做出贡献!
上海伯东是美国考夫曼离子源 Kaufman & Robinson, Inc 中国总代理. 美国考夫曼公司离子源已广泛应用于离子溅射镀膜 IBSD. 考夫曼离子源可控制离子的强度及浓度, 使溅射时靶材被轰击出具有中和性材料分子而获得高致密, 高质量之薄膜. 考夫曼离子源可依客户溅射工艺条件选择 RFICP 射频电源式考夫曼离子源或是 KDC 直流电原式考夫曼离子源.
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